MT41J128M16JT-093:K-ND IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
MT4A512M16TB-062E:R-ND IC
,MT40A512M16TB-062E: R-ND
,8GBIT DRAM IC
MT4A512M16TB-062E:R-ND
Descrição dos produtos:
• VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V • 1.5V I/O de empurrão/retirada com terminação central • Estroboscopo bidirecional de dados diferencial • Arquitetura de prefetch de 8n-bit • Entradas de relógio diferencial (CK,CK#) • 8 bancos internos • Terminação nominal e dinâmica dos dados, estroboscopia, and mask signals • Programmable CAS READ latency (CL) • Posted CAS additive latency (AL) • Programmable CAS WRITE latency (CWL) based on t CK • Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS]) • Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF) • Self refresh mode • TC of 0°C to 95°C – 64ms, 8192 ciclo de atualização a 0°C a 85°C 32ms,8192 ciclo de atualização a 85°C a 95°C • Temperatura de auto-actualização (SRT) • Auto-actualização automática (ASR) • Nivelação de gravação • Registo multiuso • Calibração do controlador de saída
Parâmetros tecnológicos
Atributos do produto | Valor do atributo |
Fabricante: | Tecnologia Micron |
Tipo de produto: | Memória de acesso aleatório dinâmico |
Tipo: | SDRAM - DDR3 |
Estilo de instalação: | SMD/SMT |
Embalagem/ Caixa: | FBGA-96 |
Largura do bus de dados: | 16 bits |
Organização: | 128 M x 16 |
Capacidade de armazenamento: | 2 Gbit |
Frequência máxima do relógio: | 10,066 GHz |
Tempo de acesso: | 20 ns |
Voltagem de alimentação - máxima: | 1.575 V |
Tensão de alimentação - mínima: | 1.425 V |
Corrente de alimentação - valor máximo: | 74 mA |
Temperatura mínima de funcionamento: | 0 C |
Temperatura máxima de funcionamento: | + 95 C |
Série: | MT41J |
Embalagem: | Caixa |
Marca comercial: | Micron |
Sensibilidade à humidade: | - Sim, sim. |
Tipo de produto: | DRAM |
Quantidade de embalagem de fábrica: | 1224 |
Subcategoria: | Memória e armazenamento de dados |
Serviço ao Cliente:
1Apoia as listas de BOM?
Claro, temos uma equipa profissional para fornecer BOM.
2- Mostra abaixo.
O nosso MOQ é flexível e pode ser fornecido de acordo com as suas necessidades, com um mínimo de 10 peças.
3E quanto ao tempo de entrega?
Após receber o depósito, vamos organizar a embalagem dos produtos e contato logística para a entrega.
4A nossa vantagem?
1- Fornecimento estável e suficiente
2Preços competitivos
3- Experiência em BOM
4Perfeito serviço pós-venda.
5Certificado de exame profissional
5O nosso serviço?
Métodos de pagamento: T/T, L/C, D/P, D/A, MoneyGram, Cartão de Crédito, paypal, Western Union, Cash, Escrow, Alipay...
6- Transporte:
DHL, TNT, FedEx, EMS, DEPX, Transporte aéreo, marítimo
Fotos do produto:

MT41K256M16TW-107: PARIDADE 96FBGA DA GOLE 4GBIT DE P IC

MT29F128G08AJAAAWP-ITZ: UMA PARIDADE 48TSOP I DO FLASH 128GBIT DE IC

MT40A1G16KD-062E: PARALELA 96FBGA DA GOLE 16GBIT DE E IC

FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO DE MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC

MT29F1G01ABAFDWB-IT: FLASH 1GBIT SPI 8UPDFN DE F IC

MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA

MT41K128M16JT-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA

MT25QU128ABA1EW9-0SIT
Imagem | parte # | Descrição | |
---|---|---|---|
![]() |
MT41K256M16TW-107: PARIDADE 96FBGA DA GOLE 4GBIT DE P IC |
SDRAM - DDR3L memory IC 4Gb parallel 933 MHz 20 ns 96-FBGA (8x14)
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![]() |
MT29F128G08AJAAAWP-ITZ: UMA PARIDADE 48TSOP I DO FLASH 128GBIT DE IC |
Flash memory - NAND memory IC 128Gb parallel 48-TSOP I
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MT40A1G16KD-062E: PARALELA 96FBGA DA GOLE 16GBIT DE E IC |
SDRAM - DDR4 memory IC 16Gb parallel 1.6 GHz 19 ns 96-FBGA (9x13)
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FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO DE MT25QL128ABA1ESE-0SIT IC |
FLASH - NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-SO
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MT29F1G01ABAFDWB-IT: FLASH 1GBIT SPI 8UPDFN DE F IC |
Flash memory - NAND memory IC 1Gb SPI 8-UPDFN (8x6) (MLP8)
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MT25QL02GCBB8E12-0SIT IC FLASH 2GBIT SPI 24TPBGA |
FLASH - NOR Memory IC 2Gb SPI 133 MHz 24-T-PBGA (6x8)
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MT41K128M16JT-125 AAT:K IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA |
SDRAM - DDR3L memory IC 2Gb parallel 800 MHz 13.75 ns 96-FBGA (8x14)
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MT25QU128ABA1EW9-0SIT |
FLASH NOR memory IC 128Mb SPI 133 MHz 8-WPDFN(8x6)(MLP8)
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